日本の新しい半導体のブレークスルー
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001 2025/08/12(火) 05:34:02 ID:yGhWDI/iRc
002 2025/08/12(火) 05:35:43 ID:yGhWDI/iRc
✕実際2ナノぐらいが限界ってどっかの技術者が言ってた。
◯実際7ナノぐらいが限界ってどっかの技術者が言ってた。
タイプミス?なんでこうなったw
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003 2025/08/12(火) 05:51:57 ID:16DX0RI.KI
確か量子力学的トンネル効果起こすからまともに動かなくなる限界値
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004 2025/08/12(火) 07:44:47 ID:MzCodrmrIw
3nm、2nm半導体プロセスが実寸法を表していない理由
文/津田 建二
2023.11.09
半導体の微細化は、チップ内の配線幅/配線間隔を縮小するリニアスケーリングで微細化が進んできたが、
近年はレイアウトパターンを3次元的に重ねることで面積を削減する方法(後述)であるエリアスケーリングが行われている。
これによって、単位面積当たりのトランジスタ数を増やすことができる。つまり、シリコンチップ上に集積されるトランジスタ数は、
2年ごとに2倍に増加するという本来のムーアの法則に沿っているのである。
〇〇nmプロセスの実際の最小寸法を示せば従来通りに見えるが、実際のところトランジスタ密度が増えて〇〇nmプロセス相当の性能があることから、
〇〇nmプロセスノードという言い方をファウンドリ企業がしているのだ。
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005 2025/08/12(火) 15:27:00 ID:yGhWDI/iRc
性能相当2nmプロセスノードといって欲しいよな
ナノメートルって意味が無いことになるじゃん
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